一种超声电化学复合的晶片清洗装置
授权
摘要
本实用新型涉及超精密加工的技术领域，更具体地，涉及一种超声电化学复合的晶片清洗装置，包括壳体、晶片装夹组件、电化学清洗组件、超声组件以及驱动组件，晶片装夹组件与驱动组件连接，晶片装夹组件包括用于放置晶片的片槽以及安装于片槽两端的转轴，片槽悬空置于壳体内，转轴与壳体转动连接；电化学清洗组件包括阴极和阳极，阴极和阳极分别设于片槽的两侧；超声组件设于晶片装夹组件的下方。本实用新型结合超声振动作用和电化学电解作用进行清洗，微气泡的微射流作用于晶片表面使得污物层被分散、乳化、剥离，利用电极分解水产生具有氧化性极强的羟基自由基将有机污染物氧化为H2O和CO2，可显著提高清洗效率，且清洗过程不产生额外污染物。
基本信息
专利标题 ：
一种超声电化学复合的晶片清洗装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922354159.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-24
授权号 ：
CN210956618U
授权日 ：
2020-07-07
发明人 ：
高雅欣潘继生阎秋生
申请人 ：
广东工业大学
申请人地址 ：
广东省广州市越秀区东风东路729号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
王锦霞
优先权 ：
CN201922354159.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-07-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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