一种滤波器封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种滤波器封装结构，包括：硅基板；贯穿硅基板的硅通孔电容及硅通孔电感，硅通孔电容包括：内层电容轴心导电柱、外层电容空心导电柱及电容硅氧化层；第一连接层及第二连接层位于硅基板第一表面，第三连接层位于硅基板第二表面，分别用于连通硅通孔电容与硅通孔电感、连通各个硅通孔电容，用于连通硅通孔电感各个导电柱。本实用新型将硅通孔电容及硅通孔电感内嵌于硅基板中，利用三层连接层互连电容与电感，减小了整个封装结构体积；利用同轴心线的内层电容轴心导电柱与外层电容空心导电柱构成侧壁电容结构，在垂直方向上利用多个导电柱，在水平方向上利用连接层构成三维硅通孔电感，充分利用了垂直方向空间，减小了平面面积。
基本信息
专利标题 ：
一种滤波器封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922413574.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-27
授权号 ：
CN211182199U
授权日 ：
2020-08-04
发明人 ：
陈天放
申请人 ：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号传感网国际创新园D1栋
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
周卫赛
优先权 ：
CN201922413574.2
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2020-08-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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