一种多环磁控溅射靶源
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摘要
本实用新型公开了一种多环磁控溅射靶源，包括第一磁体和靶材，所述第一磁体的外侧安置有第二磁体，且第二磁体的外侧设置有第三磁体，所述第三磁体的外侧安置有第四磁体，且第四磁体的上方连接有冷却水套，所述冷却水套的上方安装有冷却室，且冷却室的上方连接有靶垫，所述靶材安置于靶垫的上方，所述第一磁体的下方安装有磁极板，且磁极板的下方连接有座板，所述座板的下方安装有连接板，且连接板的右下角连接有水管，所述连接板的下方外侧安装有下端盖，且连接板的上方外侧连接有外壳，所述外壳的内部设置有气体存储环，且气体存储环的相邻之间连接有气道。该多环磁控溅射靶源有效增大了形成的有效溅射环的总面积，大大提高了靶材的利用率。
基本信息
专利标题 ：
一种多环磁控溅射靶源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922427568.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-29
授权号 ：
CN211339673U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
陆伟华邵玮
申请人 ：
南通纳瑞纳米科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市高新区杏园路299号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922427568.2
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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