半导体模块、DIMM模块以及它们的制造方法
授权
摘要
本发明提供一种能够稳定地对层叠的多个存储器芯片进行供电的半导体模块、DIMM模块以及它们的制造方法。本发明涉及一种半导体模块(1)，具有多个存储器芯片(21)，其具有：存储器衬底(10)，其具有露出到一个面即配置面的电源电路(12)；以及至少一个存储器单元(20)，其配置在存储器衬底(10)的配置面，存储器单元(20)具有：多个存储器芯片(21)，其将层叠方向(D)沿着配置面而配置；贯通电极(22)，其在层叠方向(D)上贯通多个存储器芯片(21)；以及电极层(23)，其层叠在层叠方向(D)一端面，与贯通电极(22)和电源电路(12)连接。
基本信息
专利标题 ：
半导体模块、DIMM模块以及它们的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113056819A
申请号 ：
CN201980005707.2
公开（公告）日 ：
2021-06-29
申请日 ：
2019-11-11
授权号 ：
CN113056819B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
奥津文武安达隆郎
申请人 ：
超极存储器股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
袁波
优先权 ：
CN201980005707.2
主分类号 ：
H01L25/065
IPC分类号 ：
H01L25/065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/065
包含在H01L27/00组类型的器件
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-07-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/065
申请日 : 20191111
申请日 : 20191111
2021-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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