半导体模块及半导体模块的制造方法
公开
摘要
本发明涉及半导体模块及半导体模块的制造方法。提供能够对通过封装材料进行封装时的封装材料的未填充部的产生进行抑制的半导体模块。在半导体模块的一个方式中，芯片台下侧的封装材料比半导体元件上侧的封装材料薄，芯片台下侧的封装材料比第2引线下侧的封装材料薄，在第1引线中的被封装材料封装的区域，设置有在第1引线形成上下方向的台阶的弯曲部，通过台阶，台阶的具有芯片台的一侧与台阶的没有芯片台的一侧相比位于下侧，第1引线的台阶的没有芯片台的一侧从封装材料的一端侧凸出，第2引线从封装材料的与一端侧相反一侧凸出，在第1引线的弯曲部的上侧表面、下侧表面或这两者设置有槽。
基本信息
专利标题 ：
半导体模块及半导体模块的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566469A
申请号 ：
CN202111388732.9
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2021-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
白尾明稔
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
何立波
优先权 ：
CN202111388732.9
主分类号 ：
H01L23/13
IPC分类号 ：
H01L23/13 H01L23/31 H01L21/48 H01L21/56 H01L25/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/12
安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底
H01L23/13
按形状特点进行区分的
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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