半导体装置的制造方法
授权
摘要
在多个硅基板(11、13、21)中的至少1个，形成凹部(14、23)。此外，在多个硅基板中的至少1个，在从空间(30)的预定形成区域离开了的部分，形成硅氧化膜(12、22)，该硅氧化膜(12、22)形成有将预定形成区域包围并达到多个硅基板的外周的槽部(17、28)。进而，以将槽部覆盖的方式，将多个硅基板中的形成有硅氧化膜的硅基板与多个硅基板中的另一个利用经由硅氧化膜的直接接合而进行接合，形成气体排出路径(40)并形成多个硅基板及硅氧化膜的层叠构造，由凹部在层叠构造的内部形成空间。并且，通过热处理，将空间的内部的气体经由气体排出路径向层叠构造的外部排出。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112041688A
申请号 ：
CN201980027259.6
公开（公告）日 ：
2020-12-04
申请日 ：
2019-04-23
授权号 ：
CN112041688B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
铃木爱美山本康雄明石照久
申请人 ：
株式会社电装
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
吕文卓
优先权 ：
CN201980027259.6
主分类号 ：
G01P15/08
IPC分类号 ：
G01P15/08 B81C1/00 G01C19/5783 H01L29/84
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01P
线速度或角速度、加速度、减速度或冲击的测量；运动的存在或不存在的指示；运动的方向的指示、传播时间或传播方向来测量固体物体的方向或速度入G01S；核辐射速度的测量入G01T）
G01P15/00
测量加速度；测量减速度；测量冲击即加速度的突变
G01P15/02
利用惯性力
G01P15/08
用变换成电或磁量
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2020-12-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01P 15/08
申请日 : 20190423
申请日 : 20190423
2020-12-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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