通过微调节提高半导体器件转移速度的方法和装置
授权
摘要
本发明公开了一种用于执行将半导体器件管芯从第一衬底直接转移到第二衬底的装置。所述装置包括能够在两个轴上移动的第一衬底传送机构。微调节机构与所述第一衬底传送机构联接并且被构造成保持所述第一衬底并进行位置调节,所述位置调节的尺度小于由所述第一衬底传送机构引起的位置调节。所述微调节机构包括:微调节致动器,所述微调节致动器具有远侧端部;以及第一衬底保持器框架,所述第一衬底保持器框架能够经由与所述微调节致动器的所述远侧端部接触而移动。第二框架被构造成固定所述第二衬底,使得转移表面被设置成面向设置在所述第一衬底的表面上的所述半导体器件管芯。转移机构被构造成压住所述半导体器件管芯使其与所述衬底的所述转移表面接触。
基本信息
专利标题 :
通过微调节提高半导体器件转移速度的方法和装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112005362A
申请号 :
CN201980027670.3
公开(公告)日 :
2020-11-27
申请日 :
2019-09-25
授权号 :
CN112005362B
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
A·哈斯卡C·彼得森J·温特L·杜宾
申请人 :
罗茵尼公司
申请人地址 :
美国爱达荷州
代理机构 :
南京苏创专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
常晓慧
优先权 :
CN201980027670.3
主分类号 :
H01L21/68
IPC分类号 :
H01L21/68
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/68
用于定位、定向或对准的
法律状态
2022-04-15 :
授权
2021-01-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/68
申请日 : 20190925
申请日 : 20190925
2020-11-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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