半导体器件及其调节方法
公开
摘要
本发明提供了一种半导体器件及其调节方法，涉及半导体器件的技术领域，该半导体器件包括半导体制冷器、第一基板、半导体元件和输出组件，半导体元件发出的能量经输出组件耦合后输出，半导体制冷器作用于第一基板上，用于调节第一基板的温度；第一基板包括依次连接为一体的多层材料片，多层材料片中至少有两层材料片的热膨胀系数及弹性模量均不同；本发明采用主动控制的方法，在半导体器件完成耦合封装以后，通过外部设置恰当的温度实现第一基板的弯曲变形，达到调节半导体元件和输出组件相对位置的目的，使得半导体器件在加工完成后依然可做出耦合度的调整，提高了半导体器件的输出功率、良品率、稳定性及使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其调节方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582819A
申请号 ：
CN202210483860.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周听飞韩尧惠利省赵卫东
申请人 ：
度亘激光技术（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王雪莎
优先权 ：
CN202210483860.X
主分类号 ：
H01L23/38
IPC分类号 ：
H01L23/38 H01L23/49 H01L23/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/38
应用Peltier效应的冷却装置
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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