支撑片的制造方法、半导体装置的制造方法及支撑片形成用层叠...
实质审查的生效
摘要
公开一种支撑片的制造方法，所述支撑片使用于具有支石墓结构的半导体装置的制造工艺中，所述具有支石墓结构的半导体装置包括：基板、配置在基板上的第一芯片、配置在基板上且第一芯片的周围的多个支撑片及被多个支撑片支撑且以覆盖第一芯片的方式配置的第二芯片，所述支撑片的制造方法包括：(A)准备层叠膜的工序，所述层叠膜依次具备基材膜、压敏胶黏层及与基材膜及压敏胶黏层有色差的支撑片形成用膜；(B)将支撑片形成用膜单片化而在压敏胶黏层的表面上形成多个支撑片的工序；及(C)从压敏胶黏层拾取支撑片的工序。
基本信息
专利标题 ：
支撑片的制造方法、半导体装置的制造方法及支撑片形成用层叠膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114270481A
申请号 ：
CN201980099180.4
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2019-08-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谷口纮平桥本慎太郎矢羽田达也尾崎义信板垣圭
申请人 ：
昭和电工材料株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
白丽
优先权 ：
CN201980099180.4
主分类号 ：
H01L21/52
IPC分类号 ：
H01L21/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/52
半导体在容器中的安装
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/52
申请日 : 20190829
申请日 : 20190829
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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