脱模膜和半导体封装的制造方法
公开
摘要
一种脱模膜，具备基材层、粘着层、和配置于所述基材层与所述粘着层之间的导电层，且满足下述(1)或(2)中的至少一者。(1)基材层包含含有亚丁基结构和氧化亚烷基结构的聚酯共聚物。(2)在150℃的伸长率大于或等于1000％。
基本信息
专利标题 ：
脱模膜和半导体封装的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342051A
申请号 ：
CN201980100051.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2019-09-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
濑里泰洋
申请人 ：
昭和电工材料株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈彦
优先权 ：
CN201980100051.2
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 B29C33/68
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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