一种功率半导体器件管壳
授权
摘要
本发明公开了一种功率半导体器件管壳，由阳极管壳、阴极管壳以及绝缘环形成放置半导体芯片的空腔，其中，所述阳极管壳通过阳极接触片与半导体芯片的阳极接触，所述阴极管壳通过阴极接触片与半导体芯片的阴极接触，所述阴极管壳包括阴极底座与多个阴极通流环；所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合，且所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合的一侧表面上间隔设置有多个第一沟槽，所述第一沟槽用于放置电流线圈。通过设置阴极管壳的结构，在其内部布置电流线圈孔道，同时将电流线圈从阴极管壳内部引出，实现对半导体芯片不同区域的阴极电流进行测量。
基本信息
专利标题 ：
一种功率半导体器件管壳
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111524861A
申请号 ：
CN202010129802.8
公开（公告）日 ：
2020-08-11
申请日 ：
2020-02-28
授权号 ：
CN111524861B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
曾嵘周文鹏刘佳鹏陈政宇赵彪余占清
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园1号
代理机构 ：
北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张陆军
优先权 ：
CN202010129802.8
主分类号 ：
H01L23/04
IPC分类号 ：
H01L23/04 H01L23/043 H01L23/10 G01R31/26
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-09-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/04
申请日 : 20200228
申请日 : 20200228
2020-08-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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