一种新型的紫外LED的p型隧穿接触层外延方法
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摘要
本发明公开了一种新型的紫外LED的p型隧穿接触层外延方法，通过在紫外LED的p型隧穿接触层表面形成AlN/InGaN超晶格隧穿异质结构，以改善空穴重金属电极向氮化物材料中注入的效率，以推动氮化物基紫外LED的效率提升与应用。
基本信息
专利标题 ：
一种新型的紫外LED的p型隧穿接触层外延方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111769183A
申请号 ：
CN202010761689.5
公开（公告）日 ：
2020-10-13
申请日 ：
2020-07-31
授权号 ：
CN111769183B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
周启航
申请人 ：
佛山紫熙慧众科技有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙大道北广东省新光源产业基地A区7号楼一层102
代理机构 ：
佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈志超
优先权 ：
CN202010761689.5
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2020-10-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20200731
申请日 : 20200731
2020-10-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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