一种半导体铜背靶加工方法
授权
摘要
本发明公开了一种半导体铜背靶加工方法，其包括以下步骤：(1)将圆柱体状的T2紫铜铜材加热至850℃，然后经过锻压机锻打使T2紫铜铜材的直径变大高度变低，后放置冷却至650℃，然后将T2紫铜铜材锻打成一长方体的形状；(2)在650℃条件下将长方体状的T2紫铜铜材进行墩粗；(3)将T2紫铜铜材放置冷却至350℃，在350℃条件下将墩粗后的T2紫铜铜材锻打成长方体状；(4)继续在350℃条件下继续使用锻压机对长方体状的T2紫铜铜材进行锻打，将长方体状的T2紫铜铜材锻打成圆饼形状，然后在常温条件下空冷放置。本发明的半导体铜背靶加工方法可以将T2紫铜铜材加工成半导体铜靶材，工艺简单，加工成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体铜背靶加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112170753A
申请号 ：
CN202010880526.9
公开（公告）日 ：
2021-01-05
申请日 ：
2020-08-27
授权号 ：
CN112170753B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
匡健
申请人 ：
金嘉品（昆山）金属工业有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市巴城镇东昌路33号
代理机构 ：
北京中仟知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
田江飞
优先权 ：
CN202010880526.9
主分类号 ：
B21J5/00
IPC分类号 ：
B21J5/00 B21J5/08 B21K29/00 C23C14/34
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B21
基本上无切削的金属机械加工；金属冲压
B21J
锻造；锤击；金属压制；铆接；锻造炉
B21J5/00
锻压、锤击或压制的方法；其专用设备或附件
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-01-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B21J 5/00
申请日 : 20200827
申请日 : 20200827
2021-01-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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