本发明实施例提供了一种半导体结构的加工方法，利用气态的润湿液在半导体结构的光刻曝光面上形成液态的润湿液膜，其中，所述光刻曝光面为已完成光刻曝光的半导体结构表面。本发明实施例所提供的半导体结构的加工方法，利用气态的润湿液液化的方式，在半导体结构的光刻曝光面上形成一层润湿膜，由于气体液化方式是由极微小的慢慢扩大形成的从而可以避免因接触角不匹配,已曝光面张力等原因形成微气泡，使得得到的润湿膜更加均匀，从而在显影过程中，显影液覆盖上所述半导体结构时，显影液能够更加均匀覆盖于半导体结构的表面，并与光刻胶充分反应，防止显影不良，进而可以避免最后形成的半导体结构缺失。