半导体光源及制备方法
公开
摘要
本发明实施例公开了一种半导体光源及制备方法，其中，半导体光源的制备方法包括以下步骤：在衬底的第一表面形成包括沿光传输方向依次划分的有源区和无源区的外延层；在所述有源区制作单波导；在所述无源区制作多波导，所述单波导的出射端与所述多波导的入射端连接。通过该方法，在光的传输方向设置外延层，并将其划分成有源区和无源区，然后在有源区设置单波导结构、无源区设置多波导结构和将单波导结构的出射端与多波导结构的入射端连接，使得光束由单波导结构缓变为多波导结构，获得扩大的近场模斑，实现边发射芯片以小发散角输出，从而获得较高的光耦合效率。
基本信息
专利标题 ：
半导体光源及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512896A
申请号 ：
CN202011148457.9
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-10-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李玮淳
申请人 ：
苏州洛合镭信光电科技有限公司;中兴光电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园5-B4F
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
谭晓欣
优先权 ：
CN202011148457.9
主分类号 ：
H01S5/20
IPC分类号 ：
H01S5/20 H01S5/0225
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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