一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；形成覆盖浮栅材料层、隔离结构和基底的控制栅材料层；图形化控制栅材料层和浮栅材料层，形成位于单元阵列区、第一过渡区和相邻选择栅区的控制栅，剩余浮栅材料层用于作为浮栅，浮栅和控制栅构成栅极结构；在栅极结构侧壁形成隔离侧墙，位于单元阵列区和第一过渡区的相邻栅极结构侧壁的隔离侧墙相接触；在基底、隔离侧墙和栅极结构上形成硅化物阻挡层，硅化物阻挡层暴露出单元阵列区、第一过渡区和相邻的选择栅区；在硅化物阻挡层露出的栅极结构顶部和基底顶面形成金属硅化物层。本发明实施例中第一过渡区的栅极结构和隔离侧墙作为金属层与基底的阻隔层，有利于增大金属硅化物工艺的窗口。