半导体结构及其形成方法

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摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，包括单元存储器区和外围区，衬底上有多个栅极叠层结构，单元存储器区中远离外围区的为第一栅极叠层结构，外围区中邻近单元存储器区的为第二栅极叠层结构，单元存储器区的相邻栅极叠层结构与衬底、第二栅极叠层结构和相邻的单元存储器区栅极叠层结构与衬底围成沟槽；在沟槽顶部部分深度内形成覆盖层，与相邻栅极叠层结构和衬底围成空气侧墙；在第一栅极叠层结构远离第二栅极叠层结构的侧壁、第二栅极叠层结构远离第一栅极叠层结构的侧壁形成侧墙。本发明在覆盖层的阻挡作用下，侧墙不会形成于沟槽中，空气侧墙能减小相邻字线间的电容，改善了NAND闪存器件的重复读写能力及在编程过程中的串扰问题。

基本信息

专利标题：

半导体结构及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110211959A

申请号：

CN201810165981.3

公开（公告）日：

2019-09-06

申请日：

2018-02-28

授权号：

CN110211959B

授权日：

2022-04-12

发明人：

韩亮

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

代理机构：

上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

高静

优先权：

CN201810165981.3

主分类号：

H01L27/11524

IPC分类号：

H01L27/11524 H01L27/11529 H01L27/11531