一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：贯穿浮栅和部分厚度基底的沟槽，包括位于单元阵列区的主沟槽、位于相邻一侧选择栅区的第一偏移槽、位于第一过渡区的第一过渡槽以及沿行向与第一偏移槽间隔排布的第一次沟槽，第一过渡槽具有分别对应在沿行向第一侧和第二侧的第一过渡侧壁、第二过渡侧壁，第一次沟槽具有与第二过渡侧壁相对的次侧壁；设定位于第一过渡区与第二过渡侧壁平行设置的第一参考边和第二参考边；第一过渡侧壁位于第一参考边沿行向的第一侧；或者，次侧壁位于第二参考边远离第二过渡侧壁的一侧；或者，第一过渡侧壁位于第一参考边沿行向的第一侧且次侧壁位于第二参考边远离第二过渡侧壁的一侧。本发明提升半导体结构的性能。