降低表面缺陷的垂直液相外延碲镉汞薄膜用石墨舟及用途
实质审查的生效
摘要

本发明提供了一种降低表面缺陷的垂直液相外延碲镉汞薄膜用石墨舟及用途,包括带有楔形槽的石墨舟主体、楔形衬底承载件及固定螺栓;石墨舟主体为一正多面体,其前后左右四个面均设置有楔形槽,该楔形槽用于供楔形衬底承载件插入;楔形衬底承载件包括CZT衬底、能够卯合的底层夹片和上层夹片及固定螺栓,衬底装入底层夹片,用上层夹片卯合的底层夹片并固定衬底,再通过固定螺栓锁紧已卯合的两层夹片,构成楔形衬底承载件。在石墨舟主体的顶部还设置用于疏导其上层的母液的疏导伞。该装置通过卯合的夹片结构可以实现插拔式的装舟和取片过程,提高工作效率。本发明可获得无析晶缺陷的碲镉汞薄膜,同时降低取片、装舟过程的操作难度,提高了效率。

基本信息
专利标题 :
降低表面缺陷的垂直液相外延碲镉汞薄膜用石墨舟及用途
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114481304A
申请号 :
CN202011156081.6
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2020-10-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张阳吴军孔金丞杨进宝李沛万志远木胜王宇婷龙云富方东姬荣斌
申请人 :
昆明物理研究所
申请人地址 :
云南省昆明市五华区教场东路31号
代理机构 :
昆明今威专利商标代理有限公司
代理人 :
赛晓刚
优先权 :
CN202011156081.6
主分类号 :
C30B19/06
IPC分类号 :
C30B19/06  C30B29/46  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B19/00
液相外延层生长
C30B19/06
反应室;承载熔融液的舟皿;衬底夹持器
法律状态
2022-06-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 19/06
申请日 : 20201026
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332