晶圆级自屏蔽封装结构及其制作方法
授权
摘要
本申请提供一种晶圆级自屏蔽封装结构及其制作方法，包括基板和位于基板上的多个第一半导体器件和第二半导体器件，其中，多个第二半导体器件包括衬底和位于衬底侧壁上的第一屏蔽层，晶圆级自屏蔽封装结构还包括屏蔽墙，其中，屏蔽墙同时与基板上的导电部以及衬底侧壁的第一屏蔽层电性连接，衬底背离基板的表面还设置有第二屏蔽层，第二屏蔽层与第一屏蔽层电性连接，通过第一屏蔽层、第二屏蔽层和屏蔽墙与基板上的导电部电性连接进行接地，从而使得第二半导体器件本身具有电磁屏蔽结构，再将其贴装在基板上后，与其他半导体器件之间形成电磁屏蔽，制作工艺简单、还能起到散热作用，且避免占用产品较多的面积，实现了封装结构的小型化和轻量化。
基本信息
专利标题 ：
晶圆级自屏蔽封装结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112466849A
申请号 ：
CN202011337021.4
公开（公告）日 ：
2021-03-09
申请日 ：
2020-11-25
授权号 ：
CN112466849B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
李林萍盛荆浩江舟
申请人 ：
杭州星阖科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市上城区钱江国际商务中心1416室
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
李婷婷
优先权 ：
CN202011337021.4
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L23/31 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-03-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/552
申请日 : 20201125
申请日 : 20201125
2021-03-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
