传感器封装及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及传感器封装及其制造方法，上述传感器封装可包括：基板；传感器，安装于上述基板的一面；以及模具，在安装有上述传感器的基板的面二次成型而成，上述模具的上部面为单曲率面或多重曲率面。
基本信息
专利标题 ：
传感器封装及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496817A
申请号 ：
CN202011395346.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金东禧金俊守
申请人 ：
哈纳米克罗恩公司
申请人地址 ：
韩国忠清南道牙山市永旺面延那陵路77号
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
朱阳波
优先权 ：
CN202011395346.8
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20201203
申请日 : 20201203
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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