一种长寿命铬版光刻掩膜版及其制备方法
公开
摘要
本发明涉及一种长寿命铬版光刻掩膜版及其制备方法，属于半导体光刻技术领域，本发明的基板上设置有凹槽，金属掩膜层位于凹槽的底部及侧壁上，金属掩膜层的高度小于凹槽的深度，制备方法包括：在透明基板上均匀涂覆一层负性光刻胶并进行曝光和显影处理，使用湿法刻蚀或干法刻蚀工艺在没有光刻胶覆盖区域腐蚀出深度为300～400nm的凹槽，之后在基板上沉积一层金属掩膜层，最后剥离得到与设计图案一致的光刻掩膜版。本发明将金属铬薄膜层沉积在凹槽结构内，通过凹槽对金属铬薄膜层进行保护，避免了金属铬薄膜层突出而导致容易发生硌伤等缺陷而发生漏光。
基本信息
专利标题 ：
一种长寿命铬版光刻掩膜版及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613666A
申请号 ：
CN202011426863.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
殷方军孙春明苏建郑兆河徐现刚
申请人 ：
山东华光光电子股份有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市历下区高新区天辰大街1835号
代理机构 ：
济南金迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙倩文
优先权 ：
CN202011426863.7
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/033
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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