基于h-BN的V型隧穿结LED外延结构及其制备方法
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摘要
本发明提供一种基于h‑BN的V型隧穿结LED外延结构，其特征在于：自下而上依次包括：衬底、AlN成核层、h‑BN层、n型AlGaN层、AlGaN量子阱层，其中在AlGaN量子阱层形成V型坑，p型h‑BN层核InGaN/graded‑AlGaN隧穿结依次生长在V型坑侧壁及AlGaN量子阱层的水平部分上，重掺n型AlGaN填充V型坑内并在外延结构表面形成一层重掺n型AlGaN层。并公开了其制备方法。本发明在基于h‑BN模板上实现隧穿结LED外延结构制备，可转移至柔性以及硅衬底实现外延生长，且V型坑侧壁隧穿结的电流增强作用，可以降低器件因转移而产生的器件性能损耗。本发明应用领域广泛。
基本信息
专利标题 ：
基于h-BN的V型隧穿结LED外延结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112599648A
申请号 ：
CN202011482167.8
公开（公告）日 ：
2021-04-02
申请日 ：
2020-12-16
授权号 ：
CN112599648B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
潘巍巍谢自力黄愉王勇陈敦军
申请人 ：
南京集芯光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市经济技术开发区恒园路龙港科技园B2栋1101室
代理机构 ：
江苏斐多律师事务所
代理人 ：
张佳妮
优先权 ：
CN202011482167.8
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/24 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-04-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/12
申请日 : 20201216
申请日 : 20201216
2021-04-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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