基于ALD技术的晶圆原子层沉积控制系统及高效晶圆生产方法
授权
摘要
本发明公开了一种基于ALD技术的晶圆原子层沉积控制系统，包括真空传输平台、反应腔室组、加载腔体，热型原子层沉积室(TALD)和调配管理器；所述反应腔室组、加载腔体和热型原子层沉积室(TALD)以环绕所述真空传输平台的方式布置；所述真空传输平台保持真空无尘环境，包括自动机器人，所述自动机器人和所述调配管理器数据通信连接，所述自动机器人用于在所述反应腔室组、加载腔体和热型原子层沉积室(TALD)之间调配传输晶圆材料。本发明的基于ALD技术的晶圆原子层沉积控制系统，反应腔室组采用矩阵阵列布置，从而可以更好的布置腔室，并利用传感设备检测腔室单元的工作状态，以便实时调整工作腔室。
基本信息
专利标题 ：
基于ALD技术的晶圆原子层沉积控制系统及高效晶圆生产方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112813418A
申请号 ：
CN202011629432.0
公开（公告）日 ：
2021-05-18
申请日 ：
2020-12-30
授权号 ：
CN112813418B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
廖海涛
申请人 ：
无锡邑文电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区观山路1号4楼及顶楼部分
代理机构 ：
重庆市诺兴专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
熊军
优先权 ：
CN202011629432.0
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-06-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20201230
申请日 : 20201230
2021-05-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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