三维立体混合集成电路封装结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种三维立体混合集成电路封装结构，属于半导体封装技术领域，包括封装外壳、下层基板、上层基板，封装外壳设有贯穿封装外壳的底板的引脚；上层基板和下层基板通过BGA植球倒装焊工艺实现叠层互联；下层基板的下层正面焊盘上和上层基板的上层正面焊盘均设有元器件。本实用新型提供的三维立体混合集成电路封装结构，能够提高混合集成电路的集成度，同时可以把体积较大且需要调试的元器件放置上层基板上，方便单独调试和单独装配，而且调试时不损伤其他器件，提高了产品的可操作性和简化装配难度。
基本信息
专利标题 ：
三维立体混合集成电路封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020168007.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-13
授权号 ：
CN211404501U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
白锐要志宏常青松韩玉朝丁珂徐达齐国虎王乔楠张延青赵晞文苏彦文庄建军李玲赵华
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人地址 ：
河北省石家庄市合作路113号
代理机构 ：
石家庄国为知识产权事务所
代理人 ：
王朝
优先权 ：
CN202020168007.5
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L21/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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