本实用新型提供一种氟化钙单晶生长用装置，属于新材料制备用装置技术领域，包括封闭的保温筒和设置在保温筒内部的坩埚，保温筒的顶部设有向下延伸的提拉杆，提拉杆与坩埚的底部中心位置相对应，提拉杆远离保温筒顶部的一端设有连接籽晶的连接装置；坩埚的底部与可旋转的托盘固定连接，保温筒内围绕坩埚的外周设有侧加热器、坩埚的底部设有底加热器。本实用新型结构简单、合理，使用本实用新型的装置生产氟化钙单晶能精准控制籽晶附近温度从而控制籽晶熔接，制备得到的氟化钙单晶无紫外区吸收，且单晶透过率高、位错密度低，和单加热器生长的方式相比，能有效提高氟化钙单晶成品率及晶体质量。