一种双MOS晶体管封装体

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摘要

本实用新型公开了一种双MOS晶体管封装体，包括绝缘基板，其正面设有封胶体，封胶体内封装有上下错位放置的、第一导针连接的第一印刷电路板；第一印刷电路板上具有放置MOS晶体管的第一区域，其上方设有散热片A；第二印刷电路板上具有放置MOS晶体管的第二区域，其上方设有散热片B，第一印刷电路板的输出端通过第二导针与绝缘基板背面的第一焊盘相连，第二印刷电路板的输出端通过第三导针与绝缘基板背面的第二焊盘相连。采用第一印刷电路板、第二印刷电路板上下层叠错位放置，缩小了PCB板的整体面积；第一印刷电路板、第二印刷电路板封装在绝缘基板上，并将两个MOS晶体管分离放置，每个MOS晶体管都有散热片来进行散热，整体散热性好。

基本信息

专利标题：

一种双MOS晶体管封装体

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020327299.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-03-16

授权号：

CN211555873U

授权日：

2020-09-22

发明人：

苑学涛

申请人：

苏州光领电子科技有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市苏州工业园区若水路388号G309室

代理机构：

无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

许云峰

优先权：

CN202020327299.2

主分类号：

H01L25/07

IPC分类号：

H01L25/07 H01L23/498 H01L23/31 H01L23/367