一种降低功率器件Rg的结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种降低功率器件Rg的结构，包括金属层，所述金属层为U形设置，所述金属层的后壁靠近中间处固定连接有竖板，所述竖板的左右两侧分别设置有直板，且直板固定安装在金属层的后壁上，两个所述直板和竖板之间分别设置有活动板，所述活动板的侧壁靠近顶部和底部处分别开设有滑孔，且滑孔内套设有滑动杆，所述滑动杆的两端分别穿过滑孔与竖板和直板的侧壁固定连接，所述活动板与竖板相远离的侧壁上固定连接有拉动杆，且直板的侧壁上开设有与拉动杆相匹配的通孔，所述拉动杆与活动板相远离的一端穿过通孔，并延伸到通孔外。本实用新型通过一系列的结构使得本装置具有可降低栅极电阻和安装便捷等特点。
基本信息
专利标题 ：
一种降低功率器件Rg的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020565255.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-16
授权号 ：
CN212303679U
授权日 ：
2021-01-05
发明人 ：
李江华孙效中汤为
申请人 ：
常州旺童半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市武进区科教城铭赛科技大厦C503
代理机构 ：
合肥方舟知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘跃
优先权 ：
CN202020565255.3
主分类号 ：
H01L29/49
IPC分类号 ：
H01L29/49 H01L23/32
法律状态
2021-01-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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