能降低噪声的功率半导体器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种能降低噪声的功率半导体器件，在所述器件表面包括源极金属、栅极总线金属与栅极焊盘金属；在栅极总线金属与栅极焊盘金属之间设置有导电带金属，导电带金属的一端与栅极焊盘金属电连接，导电带金属的另一端与栅极总线金属电连接，且导电带金属至少环绕所述栅极焊盘金属一圈，且所述导电带金属呈螺旋状环绕着栅极焊盘金属。将本实用新型应用于开关电路后，在高速开启与关断的瞬间，呈螺旋状环绕着栅极焊盘金属的导电带金属会形成栅极电感，栅极电感抑制了栅极电压的剧烈震荡，使栅极电压趋于平稳，如此降低了功率半导体器件在工作时的噪声。
基本信息
专利标题 ：
能降低噪声的功率半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123268685.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
CN216597596U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
朱袁正叶鹏周锦程李宗清杨卓
申请人 ：
无锡新洁能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区电腾路6号
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
涂三民
优先权 ：
CN202123268685.2
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/78
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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