应用于功率转换器的封装结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种应用于功率变换器的封装结构，第一功率晶体管和控制和驱动电路集成于同一颗晶片，可以更好地实现第一功率晶体管的高频开关动作，提高第一功率晶体管的工作频率，降低开关损耗。第二功率晶体管集成于独立的第二晶片中，第一晶片和第二晶片分立于封装结构中，对第二功率晶体管的控制和驱动动作不会对第一晶片产生干扰或者其他负面影响，提高了可靠性。第一晶片和第二晶片之间可以通过大面积的连接结构进行连接，实现了较低的互连电阻，提升了大电流处理能力。
基本信息
专利标题 ：
应用于功率转换器的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020717738.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-03
授权号 ：
CN211828761U
授权日 ：
2020-10-30
发明人 ：
方迟清叶佳明赵晨
申请人 ：
矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020717738.0
主分类号 ：
H01L23/52
IPC分类号 ：
H01L23/52 H01L25/07 H02M3/158
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
法律状态
2020-10-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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