一种TE-cooler MOSFET结构及功率器件
授权
摘要
本实用新型提供TE‑cooler MOSFET结构及器件，其中，TE‑cooler MOSFET结构，包括N型衬底、TE‑cooler P/N结构、P阱、栅极氧化层、场氧化层、层间介质、金属层、第一钝化层、漏极层和第二钝化层。本实用新型提供的TE‑cooler MOSFET结构，通过在MOSFET结构上设置TE‑cooler结构，从而极大加强MOSFET的导热散热效果；并且，TE‑cooler结构的制冷量可通过增加TE‑cooler器件对数或减少电阻或调整电流等方式进行调节，使用更加方便。
基本信息
专利标题 ：
一种TE-cooler MOSFET结构及功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020725205.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-06
授权号 ：
CN211555896U
授权日 ：
2020-09-22
发明人 ：
徐守一陈思凡蔡铭进
申请人 ：
厦门芯达茂微电子有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市湖里区火炬高新区火炬路56-58号火炬广场北楼606号
代理机构 ：
厦门加减专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王春霞
优先权 ：
CN202020725205.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/06 H01L27/07 H01L23/38
法律状态
2020-09-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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