一种换热装置及单晶炉
授权
摘要
本实用新型提供了一种换热装置及单晶炉，涉及单晶硅制造技术领域。其中，所述换热装置包括：内筒、外筒以及至少一个容纳管；所述内筒套设于所述外筒内，所述内筒与所述外筒共同形成收容空间；至少一个所述容纳管设置在所述收容空间中，并与所述内筒及所述外筒之间存在间隙，所述容纳管内填充导热介质；冷却介质在所述间隙中流动。本实用新型实施例的换热装置可以有效提升直拉单晶硅棒的换热效率，可以提升晶体的生长速度，从而可以有效降低单晶硅棒的生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种换热装置及单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020747357.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-08
授权号 ：
CN212741575U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
贾祯梁永生冉瑞应杨东党俊佳黑学兰金雪
申请人 ：
银川隆基硅材料有限公司
申请人地址 ：
宁夏回族自治区银川市（国家级）经济技术开发区开元东路15号
代理机构 ：
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵娟
优先权 ：
CN202020747357.7
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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