非接触芯片倒封装结构
授权
摘要
本实用新型公开一种非接触芯片倒封装结构，其包括：复合基板，其包括由上至下依次复合固定在一起的绝缘层、环氧树脂层及金属导电层，该金属导电层包括固定于环氧树脂层下端的第一金属片和第二金属片，该第一金属片和第二金属片之间形成有间隔；该绝缘层设有一窗口，该环氧树脂层上设有贯穿的第一点锡孔和第二点锡孔，该第一点锡孔和第二点锡孔均置于该窗口中，且该第一点锡孔和第二点锡孔还分别位于第一金属片和第二金属片上端；晶元，其设于该复合基板的窗口中，且晶元两侧的两个电极分别通过点锡方式形成有第一锡点和第二锡点，且该第一锡点和第二锡点分别穿过环氧树脂层的第一点锡孔和第二点锡孔分别与第一金属片和第二金属片固定。
基本信息
专利标题 ：
非接触芯片倒封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020797087.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-13
授权号 ：
CN211743132U
授权日 ：
2020-10-23
发明人 ：
刘瑛罗鸿耀吴京都吴小平
申请人 ：
东莞市三创智能卡技术有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市长安镇上沙社区第五工业区新春路6号
代理机构 ：
北京风雅颂专利代理有限公司
代理人 ：
杨育增
优先权 ：
CN202020797087.0
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/488 H01L23/492
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2020-10-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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