一种晶圆级真空封装的MEMS晶振
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型公开了一种晶圆级真空封装的MEMS晶振,包括保护盖和MEMS晶振主体,外绝缘层和内绝缘层均为一种绝缘漆材料制成的构件,提高保护盖的绝缘效果,外防腐层和内防腐层均为一种防腐漆材料制成的构件,提高保护盖的防腐效果,进一步提高保护盖的使用寿命,壳体为一种硅钢材料制成的构件,硅钢具有导磁率高、矫顽力低、电阻系数大等特性,进一步提高保护盖的绝缘效果,保护盖与MEMS晶振主体之间形成缓冲空腔,缓冲空腔呈梯形,在MEMS晶振受到外界冲压时,梯形的缓冲空腔使得保护盖在受到冲压时有一定的缓冲空间,降低MEMS晶振主体受到的冲击力,提高保护盖的保护效果。
基本信息
专利标题 :
一种晶圆级真空封装的MEMS晶振
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020842154.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-05-20
授权号 :
CN212532294U
授权日 :
2021-02-12
发明人 :
潘盛轩
申请人 :
加高电子(深圳)有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市宝安区福海街道塘尾社区桥塘路聚源工业区
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202020842154.6
主分类号 :
B81B7/02
IPC分类号 :
B81B7/02 H03H9/02 H03H9/19
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统,例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
B81B7/02
包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置,例如微电子—机械系统
法律状态
2022-06-10 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : B81B 7/02
登记生效日 : 20220527
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 加高电子(深圳)有限公司
变更后权利人 : 加高电子(东莞)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 518103 广东省深圳市宝安区福海街道塘尾社区桥塘路聚源工业区
变更后权利人 : 523000 广东省东莞市大朗镇洋乌村景富东路38号华智电子装备智造园A1栋
登记生效日 : 20220527
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 加高电子(深圳)有限公司
变更后权利人 : 加高电子(东莞)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 518103 广东省深圳市宝安区福海街道塘尾社区桥塘路聚源工业区
变更后权利人 : 523000 广东省东莞市大朗镇洋乌村景富东路38号华智电子装备智造园A1栋
2021-02-12 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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