磁控溅射和离子束集成式镀膜设备
授权
摘要
本实用新型揭示了磁控溅射和离子束集成式镀膜设备，包括真空室、工件台、偏压电源，所述真空室上设置有分布于工件台四周的磁控溅射靶及离子束源，所述离子束源均成对设置，每对离子束源分布于工件台相对的两侧。本方案将磁控溅射与离子束整合在一套设备中，相对布置的离子束源可以从工件的两侧提供离子源，从而可以有效避免离子束分布不均匀造成的不同距离的工件沉积质量不一的问题，保证了薄膜的一致性，改善沉积的稳定性。同时，使用离子束辅助磁控溅射，改变了非平衡磁控溅射工作压力范围，解决了溅射靶不能在较低的气压下稳定工作的弊端，使得其能在更高的真空度下稳定工作。
基本信息
专利标题 ：
磁控溅射和离子束集成式镀膜设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020947870.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-29
授权号 ：
CN213142170U
授权日 ：
2021-05-07
发明人 ：
钱政羽钱涛陈骞
申请人 ：
星弧涂层新材料科技(苏州)股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区星华产业园5号楼
代理机构 ：
南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
陆明耀
优先权 ：
CN202020947870.0
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/46
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2021-05-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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