液处理装置
授权
摘要
本实用新型提供液处理装置。针对向基板供给涂敷液而形成涂敷膜的液处理装置，获得高生产率且省空间。构成如下装置，其具备：第1喷嘴，其在基板之上的各第1喷出位置向该基板喷出第1处理液，以各基板保持部为单位设置；第2喷嘴，其在各基板之上的第2喷出位置以迟于第1处理液从第1喷嘴的喷出的方式向该基板喷出涂敷膜形成用的第2处理液，被多个基板保持部共用；第3喷嘴，其为了在保持于各基板保持部的基板之上的第3喷出位置向基板喷出第3处理液而以各基板保持部为单位设置；回转机构，其使第1喷嘴于俯视时在第1待机部与第1喷出位置之间回转；以及直动机构，其使第3喷嘴于俯视时在第3待机部与第3喷出位置之间直线移动。
基本信息
专利标题 ：
液处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021007532.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-04
授权号 ：
CN213124375U
授权日 ：
2021-05-04
发明人 ：
梶原英树米光祐弥山中晋一郎水篠真一饭田成昭川上浩平东徹
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202021007532.5
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2021-05-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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