一种用于半导体芯片的电镀加热装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于半导体芯片的电镀加热装置，包括底板和电镀槽本体，所述底板顶部一侧安装有加热槽本体，所述底板顶部一侧固定连接有固定支架，所述固定支架顶部一侧安装有电机，所述电机一端穿过固定支架安装有螺杆，所述螺杆一端与底板顶部一侧转动连接，所述电镀槽本体一侧固定焊接有第一支撑板，所述第一支撑板一侧与固定支架内侧滑动连接，所述电镀槽本体另一侧固定焊接有第二支撑板，所述第二支撑板一侧与螺杆一侧传动连接。本实用新型通过改变电镀槽本体的安装方式，使电镀槽本体和加热槽本体之间的距离便于调节，便于控制电镀槽本体内电镀液的温度，在使用时更为方便。
基本信息
专利标题 ：
一种用于半导体芯片的电镀加热装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021082019.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-12
授权号 ：
CN212505146U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
王元钊王元锋邱敏雄李盛伟李蓝屏
申请人 ：
深圳中宝新材科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区新安街道兴东社区71区新政厂房A栋202
代理机构 ：
深圳市精英专利事务所
代理人 ：
冯筠
优先权 ：
CN202021082019.2
主分类号 ：
C25D21/02
IPC分类号 ：
C25D21/02 C25D7/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25D
覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸；工件的电解法接合；所用的装置
C25D21/00
电解镀覆用电解槽的维护或操作方法
C25D21/02
加热或冷却
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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