一种具防电磁干扰结构的集成电路封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种具防电磁干扰结构的集成电路封装结构,包括屏蔽底壳,所述屏蔽底壳上连接有屏蔽上壳,且屏蔽上壳与屏蔽底壳内均开设有置放槽,所述置放槽的内部依次设置有第一屏蔽层与第二屏蔽层,且第一屏蔽层与第二屏蔽层分别采用铝金属与铜金属材质,所述置放槽内卡合有集成电路,且集成电路的左右两侧连接有引脚,所述屏蔽上壳的左右两侧开设有定位卡槽,且定位卡槽的位置与引脚相对应,所述定位卡槽的内部贯穿有引脚。该具防电磁干扰结构的集成电路封装结构采用多层不同的金属材料构成多层屏蔽体,通过多层屏蔽体将集成电路包裹在内,可很好的隔绝外界的电磁干扰,使集成电路能更好的进行工作。
基本信息
专利标题 :
一种具防电磁干扰结构的集成电路封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021116336.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-16
授权号 :
CN212365963U
授权日 :
2021-01-15
发明人 :
朱仕镇
申请人 :
深圳市三联盛科技股份有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市宝安区石岩街道水田社区汇龙达工业园厂房A第1层
代理机构 :
重庆卓茂专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
许冲
优先权 :
CN202021116336.1
主分类号 :
H01L23/552
IPC分类号 :
H01L23/552
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置,例如光
法律状态
2021-01-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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