新型共阴二极管封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种新型共阴二极管封装结构，包括：基体；铜基板，所述铜基板连接于基体上；芯片，两个所述芯片并排焊接于铜基板上；阳极引脚，所述阳极引脚头部通过铜连臂焊接于芯片上；阴极引脚，所述阴极引脚头部焊接于铜基板上，所述阴极引脚位于两个阳极引脚中间；其中，所述阳极引脚头部和铜连臂一体式设置。
基本信息
专利标题 ：
新型共阴二极管封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021163233.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-22
授权号 ：
CN212517189U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
郑文江许海东
申请人 ：
江苏晟华半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省盐城市盐都区盐龙街道智能终端创业园南区S3号
代理机构 ：
北京冠和权律师事务所
代理人 ：
张楠楠
优先权 ：
CN202021163233.0
主分类号 ：
H01L23/49
IPC分类号 ：
H01L23/49 H01L23/488 H01L23/367 H01L25/07
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/49
类似线状的
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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