半导体装置
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体装置，其包括多个存储芯片、温度检测模块，温度检测模块包括：多个温度敏感单元，设置在存储芯片上，以检测存储芯片的温度；处理单元，多个温度敏感单元共用处理单元，处理单元用以对至少一温度敏感单元的信号进行处理，处理单元包括校准值存储单元及校准单元，校准值存储单元用于存储与温度敏感单元对应的校准值，校准单元用于根据校准值校准温度敏感单元。本实用新型温度检测模块检测的温度为存储芯片的启动及运行提供参考，从而避免存储芯片在低温下启动及运行，提高存储芯片写入的稳定性。另外，本实用新型温度敏感单元共用处理单元，使得温度检测模块占用面积小，且能够对温度敏感单元进行精确校准，提高测量准确度。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021424215.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-17
授权号 ：
CN212303077U
授权日 ：
2021-01-05
发明人 ：
寗树梁
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN202021424215.3
主分类号 ：
G11C7/04
IPC分类号 ：
G11C7/04 G11C11/407 G01K15/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/00
数字存储器信息的写入或读出装置
G11C7/04
有避免由于温度效应引起干扰的装置的
法律状态
2021-01-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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