半导体器件的框架结构
授权
摘要
半导体器件的框架结构。本实用新型涉及半导体封装测试及引线框架加工工艺领域，尤其涉及半导体器件的框架结构的改进。提出了一种在一对电极引脚上开设对称封装料嵌入口的半导体器件的框架结构。本实用新型针对现有技术的缺陷，在引脚的封装部分增加引脚缺口，在填充塑封料时，流态的塑封料在流动中能够填充进缺口，固化后，塑封材料嵌入缺口处，能够与引脚金属材料形成较强的结合。本实用新型还增设了立体形式的缺口结构，能够更为彻底的克服塑封后出现分层的缺陷。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的框架结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021491775.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-24
授权号 ：
CN212277189U
授权日 ：
2021-01-01
发明人 ：
王修法王毅
申请人 ：
扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期
代理机构 ：
扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周全
优先权 ：
CN202021491775.0
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2021-01-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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