晶圆片腐蚀清洗机构
授权
摘要
本实用新型涉及一种晶圆片腐蚀清洗机构，包括腐蚀组件及清洗组件，腐蚀组件包括腐蚀箱体及设置在腐蚀箱体顶端的第一翻盖组件，包括清洗箱体、设置在清洗箱体顶端的第二翻盖组件及设置在清洗箱体内的清洗模块，所述清洗模块包括底部清洗板及顶部清洗环，所述底部清洗板设置在清洗箱体底端，底部清洗板上均匀开设有下出水孔，所述顶部清洗环设置在清洗箱体顶端并与底部清洗板相对应，顶部清洗环底端开设有上出水孔。该晶圆片腐蚀清洗机构可以对晶圆片全方位的腐蚀或清洗，腐蚀晶圆片边缘，保证产品质量。
基本信息
专利标题 ：
晶圆片腐蚀清洗机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021587662.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-03
授权号 ：
CN212517123U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
李继忠李述周朱春
申请人 ：
江苏科沛达半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市邳州经济开发区环城北路北侧、红旗路东侧
代理机构 ：
常州品益专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张岳
优先权 ：
CN202021587662.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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