一种高温高速热退火炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种高温高速热退火炉，包括退火炉，所述退火炉的左右两侧均安装有加热机构，所述壳体的右端上下两侧均通过螺栓与退火炉螺纹相连，所述壳体的左侧顶端固接有支撑座。该高温高速热退火炉，螺纹杆转动使通过滑块在壳体上的滑槽内上下滑动，且带动加热板上下往复运动可以将热量传递给退火炉，使退火炉快速升温，解决了现有的退火炉，升温速度慢，影响工作效率的问题，退火炉内产生的烟气通过引风机抽出，且烟气通过过滤板过滤，避免烟气污染大气，解决了现有的退火炉，对烟气处理效果差，从而污染空气的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种高温高速热退火炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021680204.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-13
授权号 ：
CN212625489U
授权日 ：
2021-02-26
发明人 ：
赵鹤
申请人 ：
辽宁盛新航半导体材料有限公司
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市苏家屯区林盛街道文城堡村
代理机构 ：
沈阳天赢专利代理有限公司
代理人 ：
陈贞
优先权 ：
CN202021680204.1
主分类号 ：
H01L21/324
IPC分类号 ：
H01L21/324 B01D46/10 B01D46/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/324
用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结
法律状态
2021-02-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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