一种超大功率二极管封装结构
授权
摘要
本实用新型公开的一种超大功率二极管封装结构，包括第一、二引脚、第二引脚和塑封结构；其还包括至少三块二极管芯片和至少四个铜粒，每两个铜粒与一块二极管芯片的两级焊接连接，所有铜粒与所有芯片形成串联关系；第一、二引脚的第一、二芯片焊接部分别焊接在最外侧两个铜粒上；塑封结构封装所述第一、二引脚的第一、二芯片焊接部、第一、二连接部、所有的铜粒、所有的二极管芯片；第一、二PCB板连接部均位于塑封结构的外侧，所述第一、二PCB板连接部的末端均翻折至与所述塑封结构的底面平行的状态并贴近塑封结构的底面。本实用新型采用至少三块二极管芯片和至少四个铜粒串联起来进行封装，在提高功率的同时，也提高了散热性能。
基本信息
专利标题 ：
一种超大功率二极管封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021723588.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-18
授权号 ：
CN212648220U
授权日 ：
2021-03-02
发明人 ：
林茂昌刘文松
申请人 ：
上海金克半导体设备有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区颛兴路1421弄135号（1栋B区）
代理机构 ：
上海天翔知识产权代理有限公司
代理人 ：
吕伴
优先权 ：
CN202021723588.0
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/495 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2021-03-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
