一种超大功率防浪涌二极管封装结构
授权
摘要
本实用新型公开的一种超大功率防浪涌二极管封装结构,包括第一、二、三引脚和塑封结构;所述第一、二、三引脚具有第一、二、三芯片焊接部和第一、二、三PCB板连接部,其还包括两颗防浪涌二极管芯片,第一芯片焊接部、第一防浪涌二极管芯片、第二芯片焊接部、第二防浪涌二极管芯片、第三芯片焊接部由上而下依次叠加焊接并被塑封结构塑封;第一、二、三PCB板连接部均延伸出塑封结构的外侧,第一、二、三PCB板连接部的末端均翻折至与所述塑封结构的底面平行的状态并贴近所述塑封结构的底面。本实用新型在提高功率的同时,也提高了散热性能。
基本信息
专利标题 :
一种超大功率防浪涌二极管封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021751354.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-08-20
授权号 :
CN212648222U
授权日 :
2021-03-02
发明人 :
林茂昌刘文松
申请人 :
上海金克半导体设备有限公司
申请人地址 :
上海市闵行区颛兴路1421弄135号(1栋B区)
代理机构 :
上海天翔知识产权代理有限公司
代理人 :
吕伴
优先权 :
CN202021751354.7
主分类号 :
H01L23/31
IPC分类号 :
H01L23/31 H01L23/495 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装,例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2021-03-02 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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