带铁电或负电容材料的器件及包括该器件的电子设备
授权
摘要
公开了一种栅电极侧壁上具有铁电或负电容材料层的半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；在衬底上形成的栅电极；在栅电极的侧壁上形成的铁电或负电容材料层；以及衬底上位于栅电极相对两侧的源区和漏区。通过调节铁电或负电容材料层的材料，可以容易地调节器件特性，如阈值电压(Vt)、漏致势垒降低(DIBL)、亚阈值摆幅(SS)等。
基本信息
专利标题 ：
带铁电或负电容材料的器件及包括该器件的电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021936298.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-07
授权号 ：
CN213212171U
授权日 ：
2021-05-14
发明人 ：
朱慧珑黄伟兴
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
倪斌
优先权 ：
CN202021936298.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2021-05-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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