一种圆片级芯片扇出三维堆叠封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种圆片级芯片扇出三维堆叠封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括下部封装体、再布线层（150）和上部封装体，所述上部封装体堆叠设置在下部封装体的上方，并通过再布线层（150）实现电信连接；芯片Ⅰ（110）周围设置有用于上下封装体互联的金属核心焊球（120），实现了上部封装体与下部封装体的电信连接。该封装结构采用圆片级工艺的高密度再布线扇出层（102）取代传统封装基板，并采用下部封装体上的再布线层取代转接板，可有效降低封装体厚度。
基本信息
专利标题 ：
一种圆片级芯片扇出三维堆叠封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022254148.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-12
授权号 ：
CN212342619U
授权日 ：
2021-01-12
发明人 ：
郭洪岩胡正勋赵强夏剑张朝云
申请人 ：
长电集成电路（绍兴）有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区临江路500号
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
赵华
优先权 ：
CN202022254148.1
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L25/00 H01L23/31 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2021-01-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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