用于等离子体处理装置的传输装置和等离子体处理装置
授权
摘要
本实用新型涉及等离子体刻蚀的技术领域，公开了一种传输装置和等离子体处理装置，所述传输装置包括承载件，其内设有空腔，其包括相对的第一面和第二面，所述第一面用于承载所述基片，所述第二面具有若干个气孔，所述气孔与所述空腔连通，所述气孔朝向基座的表面；一端与所述空腔连通的气体管道；与所述气体管道的另一端连接的气压控制机构，用于通过气体管道、空腔和气孔扰动基座上方的气体，从而清理基座表面的污染物。在所述承载件上设置气孔，通过气压控制机构产生正压或负压，将沾在静电吸盘上的颗粒吹走或吸走，避免基片背面颗粒污染，从而防止基片叠加传输过程中造成下基片表面颗粒污染。
基本信息
专利标题 ：
用于等离子体处理装置的传输装置和等离子体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022429234.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
CN214043597U
授权日 ：
2021-08-24
发明人 ：
林雅萍黄秋平
申请人 ：
中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
代理机构 ：
深圳中创智财知识产权代理有限公司
代理人 ：
文言
优先权 ：
CN202022429234.1
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/677 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2021-08-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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