一种功率半导体器件的散热结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种功率半导体器件的散热结构，包括表面附有铜箔的电路板，所述铜箔上安装有若干个围绕功率半导体器件的散热铜块。有益效果在于：本实用新型所述的散热结构通过在功率半导体器件的周围设置散热铜块，从而使功率半导体器件工作过程中产生的热量能够及时经铜块向外传导出去，保证功率半导体器件正常工作，散热性能好，有效提升了开关电源的功率密度。
基本信息
专利标题 ：
一种功率半导体器件的散热结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022430862.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
CN213340360U
授权日 ：
2021-06-01
发明人 ：
李向阳王相峰张贯强
申请人 ：
洛阳隆盛科技有限责任公司
申请人地址 ：
河南省洛阳市西工区凯旋西路25号
代理机构 ：
洛阳市凯旋专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
林志坚
优先权 ：
CN202022430862.1
主分类号 ：
H01L23/373
IPC分类号 ：
H01L23/373 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/373
为便于冷却的器件材料选择
法律状态
2021-06-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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