等离子体处理装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括上电极和下电极，上电极和下电极位于反应腔室内，上电极设置于反应腔室的顶部，下电极相对设置于反应腔室的底部；吸附结构，吸附结构位于反应腔室内，吸附结构设置于下电极的周围，且吸附结构的下表面到反应腔室底部的距离大于或等于下电极的上表面到反应腔室底部的距离；其中，吸附结构的下表面为吸附结构平行于反应腔室底部且靠近反应腔室底部一侧的表面，下电极的上表面为下电极平行于反应腔室底部且远离反应腔室底部的表面；温度控制结构，温度控制结构位于反应腔室内，用于控制吸附结构的温度，从而可以提高等离子体处理装置的可靠性和产品良率。
基本信息
专利标题 ：
等离子体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022454194.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
CN213184200U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
刘洋
申请人 ：
乐金显示光电科技（中国）有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城开泰大道59号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN202022454194.6
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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